Перейти к основному содержанию

Схемотехника устройств на мощных полевых транзистрах

Название: 
Схемотехника устройств на мощных полевых транзистрах
Автор: 
В. В. Бачурин
Издательство: 
Радио и связь
Страниц: 
280
Год издания: 
1994
Язык: 
русский
Формат: 
djvu
Размер: 
3.18 МБ

 

 

Краткое содержание

Основное внимание уделено принципам построения н расчета раз­нообразных устройств на мощных полевых транзисторах: однотактных и двухтактных ключей, регенеративных схем, импульсных усилителей, регуляторов и преобразователей, бестрансформаторных источников электропитания, генераторов импульсов с малыми временами нараста­ния и спада, усилителей НЧ, ВЧ, СВЧ и др. Приведены данные о конструкции н параметрах мощных полевых транзисторов н их электри­ческих моделях.

Для инженерно-технических работников, занимающихся проекти­рованием электронной аппаратуры.

Предисловие

Многие годы полевые транзисторы (ПТ) были маломощными прибора­ми, однако разработчиков электронных устройств привлекал ряд их парамет­ров, сходных с параметрами электровакуумных приборов, например высокое входное сопротивление. По своим энергетическим показателям эти приборы намного уступали биполярным транзисторам. Поэтому ПТ почти не применя­лись в мощных электронных устройствах, таких как радиопередатчики, им­пульсные устройства, силовые ключи, преобразователи электроэнергии и др. Не спасали положения и попытки включения десятков дискретных маломощ­ных приборов с целью увеличения их рабочих токов [81].

В начале 70-х годов ситуация изменилась коренным образом. Во-первых, успехи микроэлектроники позволили создать на одном кристалле множество (сотни и тысячи) структур маломощных ПТ, что позволило уве­личить рабочие токи на 3... 4 порядка, доведя их до десятков (а затем и сотен) ампер. Во-вторых, были найдены пути повышения рабочих напря­жений— вначале до десятков вольт, а затем до 1... 1,5 кВ. Приоритет в создании мощных ВЧ и СВЧ МДП-транзнсторов принадлежит нашей стра­не. Еще в 1973 г. первые отечественные мощные МДП-транзисторы КП901 и КП902 получили золотую медаль на Международной выставке-ярмарке в Лейпциге. Вскоре появились приборы КП904, отдающие мощность де­сятки ватт на частотах до 60 МГц [18]. В это же время были выявлены, исследованы и реально использованы уникальные импульсные свойства мощ­ных ВЧ и СВЧ МДП-транзисторов, и они стали новым перспективным клас­сом импульсных активных приборов с наио - и субнаносекундными време­нами переключения [11—15]. Впервые у нас были предложены и составные ненасыщающиеся транзисторы, в которых мощность ПТ используется для управления более мощным биполярным прибором [64, 65].

К сожалению, до недавних пор внедрение оригинальных идей и новых разработок не приветствовалось, и электронная промышленность была наце­лена на копирование западных образцов. Тем не менее приоритет в разра­ботке ВЧ- и СВЧ-транзисторов не только был сохранен, но и была создана обширная номенклатура таких приборов, содержащая десятки типономиналов, по энергетическим и частотным параметрам не уступающих западным образцам [2, 9, 17—23]. Что касается импульсных и ключевых приборов, то время их разработки было несколько упущено. В результате по числу типов таких приборов и их рекордным показателям допущено большое (заметное и сейчас) отставание. В последние годы число типов отечественных импульс­ных мощных ПТ различного класса (с вертикальной структурой, со стати­ческой индукцией и др.), освоенных в серийном производстве, быстро рас­тет. Снижается стоимость приборов, и возрастает их доступность [21, 22,30].

Несмотря на это разработчики радиоэлектронной аппаратуры все еще слабо знакомы с основами схемотехнического применения этого нового клас­са мощных приборов, с параметрами и характеристиками реальных радио­электронных устройств на их основе. Единственная выпущенная у нас пере­водная книга по этнм приборам [26] посвящена физике работы и особенно­стям ПТ, а не их схемотехническим применениям. А приведенные в ней дан­ные относятся к зарубежным приборам, полные аналоги которых у нас отсутствуют. Многие области применения мощных ПТ в [26] даже не упо­мянуты.

Глава 1. Основные типы мощных полевых транзисторов

Глава 2. Основные характеристики и модели мощных полевых транзисторов

Глава 3. Ключевые устройства

Глава 4. Мощные полевые транзисторы в источниках электропитания

Глава 5. Регенеративные импульсные устройства

Глава 6. Импульсные и широкополосные усилители

Глава 7. Импульсные устройства высокого быстродействия

Глава 8. Низкочастотные усилители мощности

Глава 9. Высокочастотные и сверхвысокочастотные усилители мощности и генераторы гармонических колебаний

Глава 10. Моделирование электронных устройств на мощных полевых транзисторах

Список литературы

Техническая библиотека

Вверх